4月14日上午，电子电气学院在崇真南楼A5033举办武汉纺织大学第782期阳光论坛，本次论坛邀请了华中科技大学材料成形与模具技术全国重点实验室、国家脉冲强磁场科学中心、材料科学与工程学院教授、博士生导师常海欣教授给我们带来“超室温本征二维铁磁性的发现及其微纳量子/电子信息器件与二维范德华量子MRAM集成电路”的学术讲座，讲座由张红鑫书记主持，相关专业教师、研究生参加了论坛。
常海欣团队发现了全球首批室温与超室温二维铁磁性及其二维铁磁量子晶体，被广泛认为是二维铁磁性领域最为重要的三个原创性发现之一。独立首次发现了拓扑量子态与时空维度依赖的直接电流反常霍尔效应、巨二维斯格明子拓扑霍尔效应，有望促进量子力学与广义相对论的融合研究。多篇论文入选 ESI 热点论文与高被引论文。开发了全球首批室温二维范德华量子 MRAM 集成电路芯片用微纳元器件如自旋阀、磁遂穿结、自旋轨道矩并验证了二维范德华量子 MRAM 集成电路芯片 3-8nm 节点的可行性（远优于三星传统 MRAM 芯片 28nm 节点），打破了国际 MRAM 芯片对我国的卡脖子垄断，被 Nature、英国皇家物理学会 Physics World 等列为领域重大突破并被麻省理工学院 MIT、三星、德国马普所等多家第三方机构跟踪研究并验证。全球独立首次发现的二维 Fe3GaTe2 超室温二维范德华铁磁量子晶体被剑桥晶体数据中心（CCDC）作为一种新物质收录。Nature Electronics、Nature Photonics、Nature Physics、Nature Communications、Science Advances、Advanced Materials、Advanced Functional Materials、Advanced Energy Materials、Nano Letters、JACS、ACSNano 等 30 多期刊特邀审稿人，在国际与国内会议做大会报告与特邀报告 20 余次。
